甘肃低温漂薄膜电阻公司

薄膜电阻器与厚膜电阻器主要有以下两个区别：
一、膜厚的区别，厚膜电阻的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；
二、制造工艺的区别，厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺，薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜电阻和薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差，10%，5%，1%是常见精度，而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度，0.1%千分之一精度等。 同时厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，同样的，薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，器械，电源，电力设备，电子数码产品等。

组织结构：
      一般来讲，电阻薄膜中多含有三类相位成分：绝缘相、半导体相和导电相。在现代的电阻薄膜中，这些相常呈微细分布，有的甚至是成分子线度分布的，这是因为粗分散结构会使薄膜性能不佳。
        按照导电相或半导体相在电阻薄膜中的微细分布来说，这类薄膜的结构可能有三种：岛状结构、网状结构和连续结构。所谓岛状结构，是电微粒成孤岛状细分散于薄膜内，因而各微粒均被绝缘相所包围。网状结构是导电微粒已经互相连接成导电网络，在网络孔眼内是绝缘相。连续结构是导电微粒已经紧密堆积成连续薄膜，其中已很少含有绝缘相。在岛状结构中，小岛线度和岛间距离都是随机分布的，随着薄膜厚度的增加，小岛线度变大，岛间距离变小。具有岛状结构的电阻薄膜有很薄（厚度小于20nm）的金属薄膜和绝缘相很多（体积分数大于50%）的金属陶瓷薄膜。对于后一类薄膜，随着绝缘相所占比例的增多，导电小岛变小，岛间距离。在网状结构中，导电微粒相互连接成复杂的三维导电网络。网络的导电链密度及粗细都随着导电相所占比例的上升而增加。在连续结构中，虽然导电粒子紧密堆积，但是难免含有微量气隙（绝缘相）。薄膜的质量密度小于相应的块状材料就是含有气隙的例证之一。除了气隙以外，在薄膜的某些微区还可能含有固体绝缘相。因此薄膜的实际导电厚度常小于它的几何厚度。
       综上所述，实际制备的电阻薄膜通常是含有导电相、半导体相和绝缘相的混合物薄膜。此外，各相也不一定是单一的物质。
       另外，连续结构的电阻薄膜还常是各层成分不完全相同的多层复合薄膜，这是由于在制膜过程中及以后的热处理中，周围气氛中有关气体浓度的变化、基片－薄膜界面处的物理扩散和化学反应、薄膜表面层中的扩散和反应，还有特意安排的制造多层复合薄膜的工艺。现在常见的层状复合电阻薄膜多为三层结构，底层（界面层）为使薄膜与基片匹配，并强化其附着，中层是电阻薄膜主体层，上层（表面层）为防潮、耐热等保护层。除了这些目的以外，有时还为了调整或改善薄膜的电性能，也采用层状结构。例如，为了降低电阻率温度系数的值，可使电阻薄膜的下层电阻率 ρ大，TCR 为负值，而使上层的电阻率ρ 小，TCR 为正值。需要指出，在电阻薄膜的各层之间常常是没有突变的界面，而是渐变的界面。层状结构的薄膜是在制膜过程及其后工序的热处理中，由控制工艺而形成的，而不是各层单独制造的。在薄膜的组织结构中，还有导电晶粒是否择优取向的问题。若是导电晶粒在电阻率上是各向的，显然晶粒择优取向的薄膜在长期稳定性上优于晶粒无取向的薄膜。

薄膜电阻的应用：
　  薄膜电阻的应用广泛，对于任意面积远大于厚度的情形，比如薄膜物理或者半导体产业中，常有纳米级厚度的薄膜被沉积到晶片上，如果关心这些薄膜的电阻阻值大小时，就需使用薄膜电阻这一概念。例如，在发光二极管的制造中，二极管PN结上作为电极而沉积的金属的阻值很大程度影响了发光二极管的发光效率，因此需要小化金属半导体的79483MD，利用前面提到的四探针测量法以及传输线模型（TransmissiON Line Model）测量法，即可确定79483MD的大小和金属下方半导体层的薄膜电阻阻值。

什么是薄膜电阻？
采用薄膜技术制备的电阻。用诸如真空蒸发、磁控溅射等工艺方法，将具有一定电阻率的材料沉积在绝缘基体上，形成具有一定厚度的导电膜层，如碳膜、金属膜（NiCr、TaN2、SiCr等）、金属氧化膜等。
膜式电阻，为关键的工艺，是电阻膜层制备。
平常所说的薄膜电阻，指的是片式薄膜电阻器（Thin Film Resistor）。
电阻膜层厚度＜1μm的膜称为薄膜；厚度＞10μm的膜称为厚膜。
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