薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。
薄膜电阻这一概念的使用,与电阻或者电阻率相对,是它直接用四终端感应测量法(也称为四点探针测量法)来测量。薄膜电阻用欧姆/平方来计量,可被应用于将薄膜考虑为一个二维实体的二维系统。它与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻一词的时候,电流必须沿着薄膜平面流动,而非与其垂直。
电材料分类
目前,制作电阻薄膜的材料有许多,包括**属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等,但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷,其中镍铬属于低阻类材料,而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同,常用薄膜类电阻材料分为三种,镍铬、铬硅和铬一氧化硅
电阻有三种基本类型:金属膜电阻、薄膜贴片电阻及厚膜贴片电阻,这三种电阻表面上看起来很相似,并且可能具有类似的采购规格。但实际上,这三种电阻的制造方式均不同。本身固有的设计与处理将较大影响电 气性能,因此在安装后,这三种电阻的行为均不相同。当外部及内部温度改变时,这些差异会变得非常明显且至关重要。此外,长期稳定性、湿度及其它环境条件的 影响会随时间推移而产生额外影响。这一点应加以考虑,当电路要求对信噪比 (SNR) 及脉冲响应来说更加苛刻时更应如此。因此,一些所谓的高精度电阻在用于电路后结果却达不到人们可能期望的精度。要生产具有高精度及高稳定性的电阻,重要的 是能够控制温度及环境条件对电阻器件的影响。
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