薄膜电阻器与厚膜电阻器主要有以下两个区别:
一、膜厚的区别,厚膜电阻的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm;
二、制造工艺的区别,厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺,薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜电阻和薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。 同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。
电阻有三种基本类型:金属膜电阻、薄膜贴片电阻及厚膜贴片电阻,这三种电阻表面上看起来很相似,并且可能具有类似的采购规格。但实际上,这三种电阻的制造方式均不同。本身固有的设计与处理将较大影响电 气性能,因此在安装后,这三种电阻的行为均不相同。当外部及内部温度改变时,这些差异会变得非常明显且至关重要。此外,长期稳定性、湿度及其它环境条件的 影响会随时间推移而产生额外影响。这一点应加以考虑,当电路要求对信噪比 (SNR) 及脉冲响应来说更加苛刻时更应如此。因此,一些所谓的高精度电阻在用于电路后结果却达不到人们可能期望的精度。要生产具有高精度及高稳定性的电阻,重要的 是能够控制温度及环境条件对电阻器件的影响。
薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。
电阻介绍:
近年来,随着电子信息技术的快速发展,A/D、D/A 转换电路及其它线性或非线性电路的发展日新月异,其中以薄膜电阻网络为核心的高精度运算放大器和高精度的 A/D、D/A 转换电路是必不可少的。为了提高ADC和 DAC 的精度和分辨率,薄膜电阻的性能也必须有相应的提高。
DAC 和ADC 精度和分辨率的高低主要取决于器件内部的电阻网络,DAC 和ADC 转换器件一般多选用R-2R 梯形电阻网络。电阻网络性能的分析研究和制作,一直是模拟器件研制和生产的关键技术。高精密薄膜电阻由于具有高电阻率、低电阻温度系数、高稳定性、无寄生效应和低噪音等优良特性,在航空、电子计算机、通讯仪器、电子交换机等高新领域有了越来越广泛的应用
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