相关电阻器:
碳膜电阻器
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低,是目前应用广泛的电阻器。
金属膜电阻器
用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
金属氧化膜
在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强。
合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得,因此也叫漆膜电阻。由于其导电层呈现颗粒状结构,所以其噪声大,精度低,主要用他制造高压,高阻,小型电阻器
什么是薄膜电阻?
采用薄膜技术制备的电阻。用诸如真空蒸发、磁控溅射等工艺方法,将具有一定电阻率的材料沉积在绝缘基体上,形成具有一定厚度的导电膜层,如碳膜、金属膜(NiCr、TaN2、SiCr等)、金属氧化膜等。
膜式电阻,为关键的工艺,是电阻膜层制备。
平常所说的薄膜电阻,指的是片式薄膜电阻器(Thin Film Resistor)。
电阻膜层厚度<1μm的膜称为薄膜;厚度>10μm的膜称为厚膜。
薄膜电阻器是用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成,一般这类电阻常用的绝缘材料是陶瓷基板。
薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。