天津高精密薄膜电阻公司

厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。此外，改变薄膜厚度还会严重影响 TCR。TCR是一个不容忽视的微小参数，它的单位是ppm/℃。1%的普通电阻的TCR系数在几千ppm/°C范围内，整体阻值的变化与电阻的材料、实际功率以及物理尺寸有关系。

电材料分类
目前，制作电阻薄膜的材料有许多，包括**属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等，但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷，其中镍铬属于低阻类材料，而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同，常用薄膜类电阻材料分为三种，镍铬、铬硅和铬一氧化硅

薄膜电阻器与厚膜电阻器主要有以下两个区别：
一、膜厚的区别，厚膜电阻的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；
二、制造工艺的区别，厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺，薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜电阻和薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差，10%，5%，1%是常见精度，而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度，0.1%千分之一精度等。 同时厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，同样的，薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，器械，电源，电力设备，电子数码产品等。

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路。
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